Qorvo(R)は業界をリードするD2PAKの750V耐圧SiC FETによってEV設計の性能を向上

【グリーンズボロ(米ノースカロライナ州)2024年2月6日PR Newswire】コネクティビティーおよび電源の世界的な大手ソリューションプロバイダーであるQorvo(R)(ナスダック: QRVO)は、コンパクトなD2PAK-7Lパッケージで業界最高水準の750V耐圧9mΩ RDS(on)を提供する車載対応の炭化ケイ素(SiC)電界効果トランジスタ(FET)を発表しました。この750V耐圧 SiC FETは、ピン互換で60mΩRDS(on)までの製品ラインナップを備えたQorvo社の新しい製品ファミリーで、車載充電器、DC/DCコンバーター、正温度係数(PTC)ヒーターモジュールなど、電気自動車(EV)アプリケーションに最適です。


UJ4SC075009B7Sは、高電圧なマルチキロワットの車載アプリケーションにおいて、損失を低減し、効率を最大化するために必要とされる、25℃でTYP9mΩRDS(on)を備えています。小型の表面実装パッケージにより、自動組み立てフローが可能になり、お客様の製造コストを削減します。この新しい750V製品ファミリーは、Qorvoの既存の1200Vおよび1700V車載対応D2PAKパッケージのSiC FET製品ファミリーを補完するもので、400Vおよび800VバッテリーアーキテクチャーにおけるEVアプリケーションに対して完全なポートフォリオを形成します。

Qorvoのパワー製品ラインマーケティング・ディレクターであるRamanan Natarajan氏は「この新しいSiC FETファミリーの発売は、EVパワートレイン設計者に自動車特有のパワー課題に対する最も先進的かつ効率的なソリューションを提供するという当社のコミットメントを示すものです」と述べました。

これらの第4世代SiC FETは、Qorvo独自のカスコード回路構成を活用しており、SiC JFETがSi MOSFETとコパッケージ化され、ワイドバンドギャップスイッチ技術の効率の良さの利点と、シリコンMOSFETのシンプルなゲート駆動を兼ね備えるデバイスを実現します。Qorvoのカスコード/JFETアプローチは、業界最高水準のRDS(on)とボディーダイオードの逆電圧降下損失の低減を可能にします。

UJ4SC075009B7Sの主な機能は次のとおりです:

  • 閾値電圧VG(th):4.5V(標準)で、0-15Vの駆動が可能
  • 低ボディーダイオードVFSD:1.1V
  • 最高動作温度:175℃
  • 優れた逆回復:Qrr=338 nC
  • 低ゲート電荷:QG=75nC
  • Automotive Electronics Council(AEC)Q101認定

Qorvo について

Qorvo社 (ナスダック: QRVO) は、より良い世界を実現する革新的な半導体ソリューションを提供しています。当社は、製品とテクノロジーのリーダーシップ、システムレベルの専門知識、ワールドワイドな製造拠点の技術を組み合わせて、お客様の最も複雑な技術的課題を迅速に解決します。Qorvo は、家庭用電化製品、スマートホーム/IoT、自動車、EV、バッテリー駆動機器、ネットワーク インフラストラクチャ、ヘルスケア、航空宇宙/防衛など、世界市場のさまざまな高成長セグメントにサービスを提供しています。www.qorvo.comにアクセスして、当社の多様で革新的なチームが地球のつながり、保護、電力供給にどのように貢献しているかをご覧ください。

Qorvoの将来に関する見通しについては以下を参照してください。
www.qorvo.com/go/gen4