【グリーンズボロ（米ノースカロライナ州）2024年2月6日PR Newswire】コネクティビティーおよび電源の世界的な大手ソリューションプロバイダーであるQorvo（R）（ナスダック: QRVO）は、コンパクトなD2PAK-7Lパッケージで業界最高水準の750V耐圧9mΩ RDS（on）を提供する車載対応の炭化ケイ素（SiC）電界効果トランジスタ（FET）を発表しました。この750V耐圧 SiC FETは、ピン互換で60mΩRDS（on）までの製品ラインナップを備えたQorvo社の新しい製品ファミリーで、車載充電器、DC／DCコンバーター、正温度係数（PTC）ヒーターモジュールなど、電気自動車（EV）アプリケーションに最適です。
UJ4SC075009B7Sは、高電圧なマルチキロワットの車載アプリケーションにおいて、損失を低減し、効率を最大化するために必要とされる、25℃でTYP9mΩRDS（on）を備えています。小型の表面実装パッケージにより、自動組み立てフローが可能になり、お客様の製造コストを削減します。この新しい750V製品ファミリーは、Qorvoの既存の1200Vおよび1700V車載対応D2PAKパッケージのSiC FET製品ファミリーを補完するもので、400Vおよび800VバッテリーアーキテクチャーにおけるEVアプリケーションに対して完全なポートフォリオを形成します。
Qorvoのパワー製品ラインマーケティング・ディレクターであるRamanan Natarajan氏は「この新しいSiC FETファミリーの発売は、EVパワートレイン設計者に自動車特有のパワー課題に対する最も先進的かつ効率的なソリューションを提供するという当社のコミットメントを示すものです」と述べました。
これらの第4世代SiC FETは、Qorvo独自のカスコード回路構成を活用しており、SiC JFETがSi MOSFETとコパッケージ化され、ワイドバンドギャップスイッチ技術の効率の良さの利点と、シリコンMOSFETのシンプルなゲート駆動を兼ね備えるデバイスを実現します。Qorvoのカスコード／JFETアプローチは、業界最高水準のRDS（on）とボディーダイオードの逆電圧降下損失の低減を可能にします。
UJ4SC075009B7Sの主な機能は次のとおりです：
- 閾値電圧VG（th）：4.5V（標準）で、0－15Vの駆動が可能
- 低ボディーダイオードVFSD：1.1V
- 最高動作温度：175℃
- 優れた逆回復：Qrr=338 nC
- 低ゲート電荷：QG=75nC
- Automotive Electronics Council（AEC）Q101認定
Qorvo について
Qorvo社 (ナスダック: QRVO) は、より良い世界を実現する革新的な半導体ソリューションを提供しています。当社は、製品とテクノロジーのリーダーシップ、システムレベルの専門知識、ワールドワイドな製造拠点の技術を組み合わせて、お客様の最も複雑な技術的課題を迅速に解決します。Qorvo は、家庭用電化製品、スマートホーム/IoT、自動車、EV、バッテリー駆動機器、ネットワーク インフラストラクチャ、ヘルスケア、航空宇宙/防衛など、世界市場のさまざまな高成長セグメントにサービスを提供しています。www.qorvo.comにアクセスして、当社の多様で革新的なチームが地球のつながり、保護、電力供給にどのように貢献しているかをご覧ください。
Qorvoの将来に関する見通しについては以下を参照してください。
www.qorvo.com/go/gen4
